Enhanced resistive switching characteristics in Pt/BaTiO3/ITO structures through insertion of HfO2:Al2O3 (HAO) dielectric thin layer uri icon

autores

  • Maria de Jesus de Matos Gomes
  • Mario Antonio CAIXEIRO DE CASTRO PEREIRA
  • José Pedro Basto da Silva
  • Faita, F.L.
  • Pasa, A. A.
  • Gomes, M. J. M.
  • Kamakshi, K.
  • Sekhar, K.C.
  • Silva, José Pedro Basto
  • Faita, F. L.
  • Moreira, J.A.
  • Almeida, A.
  • Kamakshi, K.
  • Pereira, M.
  • Sekhar, K. C.
  • Agostinho Moreira, J.
  • Pasa, A.A.
  • Almeida, A.
  • Gomes, M.J.M.

data de publicação

  • janeiro 1, 2017