HfO2–Al2O3 Dielectric Layer for a Performing Metal–Ferroelectric–Insulator–Semiconductor Structure with a Ferroelectric 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 Thin Film uri icon

autores

  • Maria de Jesus de Matos Gomes
  • Mario Antonio CAIXEIRO DE CASTRO PEREIRA
  • José Pedro Basto da Silva
  • Joaquim Agostinho Moreira
  • Gomes, M. J. M.
  • Matolín, V.
  • Negrea, R.F.
  • Silva, José Pedro Basto
  • Corneliu Ghica
  • Koppole C. Sekhar
  • Katerina Veltruská
  • Marcelo J. S. Oliveira
  • Aksoy-Aksel, A.

data de publicação

  • janeiro 2020